半导体器件的制造方法

Abstract

本发明公开了一种半导体器件的制造方法,用于闪存中存储区栅极侧墙、高压区栅极侧墙和低压区栅极的制造,包括:提供形成存储区栅极侧墙前产品,包括衬底、存储区栅极、高压区栅极、低压区氧化层、以及低压区多晶硅层;在所述产品表面沉积牺牲氧化层;在所述牺牲氧化层上涂覆光刻胶,对所述光刻胶进行针对低压区栅极的图案化;以图案化后的光刻胶为掩膜对所述牺牲氧化层和部分低压区多晶硅层进行刻蚀,之后去除所述光刻胶;对去除所述光刻胶之后的产品表面进行刻蚀,以形成存储区栅极侧墙、高压区栅极侧墙、低压区栅极氧化层和低压区栅极。本发明简化了闪存中半导体器件的制造流程,进而提高了生产效率和降低生产成本。

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      CN-101308824-ANovember 19, 2008海力士半导体有限公司Nonvolatile memory device and method of fabricating the same
      CN-102290376-ADecember 21, 2011上海宏力半导体制造有限公司半导体集成器件形成方法

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