Igbt芯片导热模块及其制备方法

Abstract

本发明公开了IGBT芯片导热模块及其制备方法,IGBT芯片导热模块,包括IGBT模块,IGBT模块的底部通过焊接层B连接在导热硅脂基板上,导热硅脂基板远离IGBT模块的一侧安装在底部散热器上;还包括导热封装体,导热封装体包围在IGBT模块上,导热封装体的左侧面连接有左侧散热板,导热封装体的右侧面连接有右侧散热板;所述导热封装体通过材料P热注塑形成,所述材料P包括以下按重量份计的原料:聚苯硫醚,超高分子量聚乙烯,氧化铝陶瓷粉:80一150份,导热硅胶:60一150份,玻璃纤维,相容剂,加工助剂;所述氧化铝陶瓷粉选用0.1mm至0.02mm的颗粒。

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      CN-101933139-ADecember 29, 2010爱信艾达株式会社;富士电机系统株式会社半导体装置及其制造方法
      CN-103525089-AJanuary 22, 2014株洲时代新材料科技股份有限公司一种igbt专用封装材料及其制备方法

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